2026年10月31日 长鑫科技第六代DRAM技术平台完成工程样片验证

2026年10月31日，【飞料汇快讯】10月30日，长鑫科技在第三季度业绩交流会上透露，该公司基于4F²垂直沟道DRAM（动态随机存取存储器）架构取得突破，其第六代工艺技术平台已完成工程样片验证。 据长鑫科技介绍，此次完成工程样片验证的第六代工艺技术平台，核心在于4F²垂直沟道DRAM架构的突破。按照产业实践，工程样片验证完成意味着该平台的核心性能指标已在真实晶圆上达到设计预期。 从产业化路径来看，工程样片验证完成是迈向规模量产的重要节点。长鑫科技方面表示，该平台在客户端完成验证后，即可进入规模量产阶段。 作为国内存储芯片领域的重要企业，长鑫科技此次在第六代DRAM工艺技术平台上的进展，反映出其在动态随机存取存储器技术迭代上的持续推进。后续该平台在客户端的验证进展及量产节奏，值得行业持续关注。